CD74HC258M

HC640和HCT640硅栅CMOS三态双向反相和非反相缓冲器旨在用于数据总线之间的双向异步通信。它们具有高驱动电流输出，可以在驱动大总线电容时实现高速操作。这些电路具有CMOS电路的低功耗特性，并且速度可与低功耗肖特基TTL电路相媲美。它们可以驱动15个LSTTL负载。HC640和HCT640是反相缓冲器。

数据流动方向（A到B，B到A）由DIR输入控制。

当输出使能输入（OE）为低时，输出被启用；OE为高时，这些设备进入高阻态模式。

• 缓冲输入
• 三态输出
• 多数据总线架构应用
• 扇出（在温度范围内）- 标准输出：10个LSTTL负载 - 总线驱动器输出：15个LSTTL负载
• 宽工作温度范围：-55°C至125°C
• 平衡的传播延迟和转换时间
• 与LSTTL逻辑IC相比显著降低功耗
• HC类型 - 2V至6V工作电压 - 高抗噪能力：N_L=30%，N_H=30%的V_CC，在V_CC=5V时
• HCT类型 - 4.5V至5.5V工作电压 - 直接LSTTL输入逻辑兼容性，N_L=0.8V（最大），N_H=2V（最小）- CMOS输入兼容性，在N_OL, N_OH下≤1μA

• 多总线架构中的应用