TPS2042P

TPS2042和TPS2052是双路配电开关，适用于可能遇到大容性负载和短路的应用场景。TPS2042和TPS2052在单个封装内集成两个135-mΩ N沟道MOSFET高边功率开关，适用于需要多个功率开关的配电系统。每个开关由逻辑使能控制，可兼容5 V逻辑和3 V逻辑。栅极驱动由内部电荷泵提供，用于控制功率开关的上升时间和下降时间，以最大限度减少开关过程中的电流浪涌。该电荷泵不需要外部元件，允许低至2.7 V的电源供电。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，TPS2042和TPS2052通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平，并拉低过流（OCx）逻辑输出。当持续的严重过载和短路导致开关功耗增加、结温升高时，热保护电路会关闭开关以防止损坏，器件充分冷却后会自动从热关断恢复。内部电路确保开关在有效输入电压出现前保持关闭。TPS2042和TPS2052设计为在0.9-A负载下限流。这些配电开关提供8引脚小外形集成电路（SOIC）和8引脚塑料双列直插封装（PDIP），可在–40℃至85℃的环境温度范围内工作。功率开关是导通电阻最大值为135 mΩ（VI(IN) = 5 V）的N沟道MOSFET。配置为高边开关，禁用时可防止电流从OUTx流向IN以及从IN流向OUTx。每个开关可提供最小500 mA输出。内部电荷泵为驱动电路供电，提供必要的电压将MOSFET栅极拉至源极以上。电荷泵可在低至2.7 V的输入电压下工作，仅需要极少的电源电流。驱动器控制功率开关的栅极电压。为了限制大电流浪涌并降低产生的相关电磁干扰（EMI），驱动器集成了控制输出电压上升时间和下降时间的电路，上升和下降时间通常在2 ms至4 ms范围内。逻辑使能可关闭功率开关以及电荷泵、驱动器和其他电路的偏置，当TPS2042的ENx为逻辑高或TPS2052的ENx为逻辑低时，将电源电流降低至10 µA以下；当ENx为逻辑零或ENx为逻辑高时，恢复驱动和控制电路的偏置并打开电源。使能输入可兼容TTL和CMOS逻辑电平。当遇到过流或过热情况时，OCx开漏输出有效（低电平有效），输出将保持有效直到过流或过热情况消除。检测FET监测提供给负载的电流，检测FET的电流测量比传统电阻方法更高效。当遇到过载或短路时，电流检测电路向驱动器发送控制信号，驱动器降低栅极电压并驱动功率FET进入饱和区，将输出切换为恒流模式，在改变负载电压的同时保持电流恒定。TPS2042和TPS2052采用双阈值热跳闸，允许配电开关完全独立工作。当过流或短路情况导致结温升高，当芯片温度升至约140℃时，内部热检测电路确定哪个功率开关处于过流状态并关闭该开关，从而隔离故障，不中断相邻功率开关的工作。热检测内置迟滞，器件冷却约20℃后，开关重新打开，直到故障消除前开关会持续循环通断。发生过热或过流时，OCx开漏输出有效（低电平有效）。电压检测电路监测输入电压，当输入电压低于约2 V时，控制信号关闭功率开关。D封装可提供卷带包装，在器件型号后添加R后缀即可（例如TPS2042DR）。该器件获得UL认证，档案号E169910。

• 5 V输入条件下最大导通电阻135 mΩ，为高边MOSFET开关
• 每通道支持500 mA连续电流
• 具备短路和热保护，带过流逻辑输出
• 工作电压范围为2.7 V至5.5 V
• 支持逻辑电平使能输入
• 典型上升时间为2.5 ms
• 具备欠压锁定功能
• 最大待机电源电流为10 µA
• 双向开关
• 提供8引脚SOIC和PDIP两种封装
• 工作环境温度范围为–40℃至85℃
• 具备2 kV人体模型、200 V机器模型ESD保护
• 获得UL认证，档案号E169910

• 需要多个功率开关的配电系统
• 可能遇到大容性负载和短路的应用场景