R5F11TLEDFB#10
R5F11TLEDFB#10
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R5F11TLEDFB#10
- 商品编号
- C3230636
- 商品封装
- LFQFP-64(10x10)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | RL78 | |
| CPU最大主频 | 24MHz | |
| CPU位数 | 16 Bit | |
| 程序存储容量 | 64KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 6KB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | 2KB | |
| I/O数量 | 27 | |
| ADC(位数) | 10bit;24bit | |
| 振荡器类型 | 内置 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
真正的低功耗平台,具备独立电源实时时钟、硬件AES、32位乘累加器,工作电压范围为1.9 V至5.5 V,闪存容量为64 KB至256 KB,专为电表应用设计。
商品特性
- 目标应用:电表
- 超低功耗技术:单电源电压VDD范围为1.7 V至5.5 V,支持HALT模式、STOP模式、SNOOZE模式
- RL78 CPU内核:采用CISC架构和3级流水线,最小指令执行时间可从高速切换至极低速度,支持16位乘法、16位乘累加和32位除法,地址空间为1 MB,通用寄存器为4组,片内RAM为6 KB至16 KB
- 代码闪存:容量为64 KB至256 KB,块大小为1 KB,支持禁止块擦除和重写、片内调试功能、自编程
- 数据闪存:容量为2 KB,支持后台操作,典型擦写次数为1,000,000次,重写电压为VDD = 1.9 V至5.5 V
- PLL时钟:可选32 MHz
- 高速片内振荡器:可选1 MHz至24 MHz,用作ΔΣ模数转换器时钟时可选24 MHz、12 MHz、6 MHz或3 MHz,高精度为±1.0%,具备片内高速片内振荡器时钟频率校正功能
- 中速片内振荡器:可选4 MHz、2 MHz或1 MHz
- 工作环境温度:TA = -40°C至+85°C
- 电源管理与复位功能:片内上电复位电路,片内实时时钟上电复位电路,片内电压检测器
- 电压检测电路:可检测VDD引脚、VBAT引脚、VRTC引脚和EXLVD引脚的电压
- 数据传输控制器:支持普通模式、重复模式、块模式,由中断源启动,具备链式传输功能
- 事件链接控制器:可将22种类型的事件信号链接到指定的外设功能
- 片内32位乘法器和乘累加器:支持32位 × 32位 = 64位,以及32位 × 32位 + 64位 = 64位运算
- 串行接口:简化SPI、UART、UART、UART/IrDA、简化I²C通信、I²C通信
- 定时器:16位定时器、12位间隔定时器、8位间隔定时器、独立电源实时时钟、看门狗定时器、振荡停止检测电路
- LCD控制器/驱动器:可切换内部电压升压法、电容分割法和外部电阻分压法,段信号输出为19至42,公共信号输出为4
- 模数转换器:24位ΔΣ模数转换器、8/10位分辨率模数转换器、内部参考电压和温度传感器
- I/O端口:数量为35至68,可设置为N沟道开漏、TTL输入缓冲器和片内上拉电阻,支持不同电位接口,具备片内时钟输出/蜂鸣器输出控制器和片内按键中断功能
- AES电路:支持GCM/ECB/CBC密码操作模式,加密密钥长度为128/192/256位
- 其他:片内BCD校正电路,片内电池备份功能
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