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R5F10WLGAFB#10实物图
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R5F10WLGAFB#10

R5F10WLGAFB#10

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商品型号
R5F10WLGAFB#10
商品编号
C3230671
商品封装
LFQFP-64(10x10)​
包装方式
托盘
商品毛重
1.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核RL78
CPU最大主频24MHz
CPU位数16 Bit
程序存储容量128KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量8KB
属性参数值
EEPROM容量4KB
I/O数量42
ADC(位数)10bit
振荡器类型内置
工作电压1.6V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
功能特性-

商品概述

该器件集成LCD控制器/驱动器,采用真低功耗平台(运行功耗可低至71 μA/MHz,实时时钟加低电压检测器功耗为0.61 μA),工作电压范围为1.6 V至5.5 V,具备16 KB至128 KB闪存,在24 MHz频率下性能达31 DMIPS,适用于所有基于LCD的应用。

商品特性

  • 采用超低功耗技术:单电源电压VDD为1.6 V至5.5 V,支持1.8 V器件在低电压下运行;支持HALT模式、STOP模式和SNOOZE模式。
  • 采用RL78 CPU内核:采用带3级流水线的CISC架构;最小指令执行时间可从高速(0.04167 µs,基于24 MHz高速片内振荡器)切换至超低速(30.5 µs,基于32.768 kHz子系统时钟);地址空间为1 MB;通用寄存器为(8位寄存器 × 8)× 4组;片内RAM为1 KB至8 KB。
  • 代码闪存:容量为16 KB至128 KB;块大小为1 KB;支持禁止块擦除与重写(安全功能);具备片内调试功能;支持自编程(带启动交换功能/闪存保护窗口功能)。
  • 数据闪存:容量为4 KB;支持后台操作,可在重写数据闪存时从程序存储器执行指令;典型擦写次数为1,000,000次;重写电压VDD为1.8 V至5.5 V。
  • 高速片内振荡器:可选频率为48 MHz、24 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz和1 MHz;高精度为±1.0%(条件:VDD = 1.8 V至5.5 V,TA = -20°C至+85°C)。
  • 工作环境温度:TA = -40°C至+85°C(A:消费类应用);TA = -40°C至+105°C(G:工业应用)。
  • 电源管理与复位功能:具备片内上电复位电路;片内电压检测器(可从14个电平中选择中断和复位)。
  • DMA控制器:4个通道;8/16位特殊功能寄存器与内部RAM间传输的时钟周期数为2个时钟。
  • 乘法器与除法器/乘累加器:支持16位 × 16位 = 32位(无符号或有符号);32位 ÷ 32位 = 32位(无符号);16位 × 16位 + 32位 = 32位(无符号或有符号)。
  • 串行接口:2通道简化SPI;3或4通道UART/UART(支持LIN总线)/1通道;1通道I2C/2通道简化I2C通信。
  • 定时器:8通道16位定时器(带遥控输出功能);1通道16位定时器KB20(仅支持高侧PWM输出功能);1通道12位间隔定时器;1通道实时时钟2(支持99年日历、报警功能和时钟校正功能);1通道看门狗定时器(可使用专用低速片内振荡器运行)。
  • A/D转换器:8/10位分辨率A/D转换器(VDD = 1.6 V至5.5 V);9至12通道模拟输入;可选择内部参考电压(1.45 V)和温度传感器。
  • 比较器:2个通道;工作模式可选:比较器高速模式、比较器低速模式或窗口模式;可选择外部参考电压或内部参考电压。
  • LCD控制器/驱动器:段信号输出为36(使用8公共端时为32)至51(使用8公共端时为47);公共信号输出为4(8);内部电压升压法、电容分压法和外部电阻分压法可切换。
  • I/O端口:49至65个I/O端口(包含2个耐压6 V的N沟道开漏I/O,以及12至18个耐压VDD的N沟道开漏I/O);可设置为N沟道开漏、TTL输入缓冲器和片内上拉电阻;支持不同电位接口,可连接1.8 V/2.5 V/3 V器件;具备片内按键中断功能;具备片内时钟输出/蜂鸣器输出控制器。
  • 其他:具备片内BCD校正电路。

数据手册PDF