ATMEGA329V-8AI

高性能、低功耗的8位微控制器，采用先进的RISC架构。特点包括130条强大的指令，其中大多数在单个时钟周期内执行，32X8通用工作寄存器，全静态操作，以及在16MHz下最高可达16 MIPS的吞吐量。包含片上2周期乘法器。

高耐久性的非易失性存储器段，具有系统内自编程Flash程序存储器（ATmega329/ATmega3290为32K字节，ATmega649/ATmega6490为64K字节）、EEPROM（ATmega329/ATmega3290为1K字节，ATmega649/ATmega6490为2K字节）和内部SRAM（ATmega329/ATmega3290为2K字节，ATmega649/ATmega6490为4K字节）。支持Flash 10,000次写/擦除循环和EEPROM 100,000次写/擦除循环，在85℃下数据保持20年或在25℃下数据保持100年。可选启动代码段，带独立锁定位，通过片上启动程序进行系统内编程，并支持真正的读-写同时操作。

符合IEEE标准1149.1的JTAG接口，具备边界扫描功能，广泛的片上调试支持，可通过JTAG接口对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位进行编程。

外设特性包括4 X 25段LCD驱动器（ATmega329/ATmega649）或4 X 40段LCD驱动器（ATmega3290/ATmega6490），两个8位定时器/计数器，带有单独的预分频器和比较模式，一个16位定时器/计数器，带有单独的预分频器、比较模式和捕获模式，带有单独振荡器的实时时钟，四个PWM通道，8通道10位ADC，可编程串行USART，主/从SPI串行接口，带开始条件检测器的通用串行接口，带有单独片上振荡器的可编程看门狗定时器，片上模拟比较器，以及引脚变化中断和唤醒功能。

特殊的微控制器特性包括上电复位和可编程掉电检测，内部校准振荡器，外部和内部中断源，以及五种睡眠模式：空闲、ADC降噪、节能、掉电和待机。

I/O和封装包括53/68可编程I/O线，64引脚TQFP，64焊盘QFN/MLF，和100引脚TQFP。速度等级为ATmega329V/ATmega3290V/ATmega649V/ATmega6490V在1.8-5.5V下为0 - 4MHz，在2.7-5.5V下为0 - 8MHz；ATmega329/3290/649/6490在2.7-5.5V下为0 - 8MHz，在4.5-5.5V下为0 - 16MHz。温度范围是-40℃至85℃工业级。

超低功耗，活动模式下在1MHz、1.8V时为350μA，在32kHz、1.8V（含振荡器）时为20μA，在32kHz、1.8V（含振荡器和LCD）时为40μA。掉电模式下在1.8V时消耗100nA。