FAN5236MTCX_NA3C246
FAN5236MTCX_NA3C246
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FAN5236MTCX_NA3C246
- 商品编号
- C3227101
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
FAN5236 PWM控制器为高性能笔记本电脑、PDA和网络设备中为I/O、芯片组和内存组供电所需的两种输出电压(可调范围0.9V至5.5V)提供高效率和高精度稳压。同步整流和轻载时的迟滞工作模式有助于在宽负载范围内实现高效率。如果希望在所有负载水平下均采用PWM模式,可以分别禁用每个PWM转换器的迟滞工作模式。通过使用MOSFET的RDS(ON)作为电流检测元件,可进一步提高效率。前馈斜坡调制、平均电流模式控制方案和内部反馈补偿提供了对负载瞬态的快速响应。180度相移的异相工作降低了输入电流纹波。通过激活指定引脚,该控制器可转换为完整的DDR内存电源解决方案。在DDR工作模式下,其中一个通道跟踪另一通道的输出电压,并提供输出电流吸收与源出能力——这是为DDR芯片正确供电的关键特性。同时,该控制器也提供此类内存所需的缓冲参考电压。FAN5236监控这些输出,并在软启动完成且输出在设定点的±10%范围内时,生成独立的PGx(电源正常)信号。内置过压保护可防止输出电压超过设定点的120%。当过压条件消失后,自动恢复正常工作。欠压保护会在任一输出在其软启动序列完成后降至其设定值的75%以下时锁定芯片关闭。可调过流功能通过检测下管MOSFET两端的压降来监控输出电流。若需要精确的电流检测,可选择使用外部电流检测电阻。
商品特性
- 高度灵活的双同步开关PWM控制器,包含多种模式:用于减少通道干扰的同相DDR模式;用于减少输入纹波的90度相移两段式DDR模式;180度相移的双独立稳压器。
- 完整的DDR内存电源解决方案:VTT跟踪VDDQ/2;提供VDDQ/2缓冲参考电压输出。
- 通过低边MOSFET进行无损电流检测,或使用检测电阻实现精密过流保护。
- VCC欠压锁定。
- 转换器可从+5V、3.3V或电池电源输入(5V至24V)工作。
- 采用电压前馈和平均电流模式控制,具备出色的动态响应。
- 电源正常信号。
- 同时支持DDR-II和HSTL。
- 轻载迟滞模式可最大化效率。
- 提供QSOP28和TSSOP28封装。
应用领域
- DDR VDDQ与VTT电压生成
- 移动PC双路稳压器
- 服务器DDR电源
- 手持PC电源
- R5F5631NCDFL#10
- MC9S12C32VFAE25
- S912ZVCA19F0VLF
- LM3S308-IQN25-C2
- R5F5631PDDFL#V0
- M482LE8AE
- R5F52205BDFL#10
- MKV30F128VLF10P
- FS32K116BRT0VLFT
- MC56F8122VFAE
- LPC1226FBD48/301151
- MC56F82726VLF
- TMS320F28026FPTQ
- MC9S08PA60VLF
- LPC1225FBD48/321151
- S9S08DN60F2VLF
- STM32L071CBT3
- MK20DN64VLF5
- LPC1115JET48/303151
- CYPD5126-40LQXI
- STM32G051C8T6

