ATTINY861A-20MU

ATtiny261A/461A/861A是基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，这些设备实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。

ATtiny261A/461A/861A提供以下特性：2/4/8K字节的系统内可编程闪存，128/256/512字节EEPROM，128/256/512字节SRAM，16条通用I/O线路，32个通用工作寄存器，带比较模式的8位定时器/计数器，一个8位高速定时器/计数器，一个通用串行接口，内部和外部中断，一个11通道10位ADC，带内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及四种软件选择的省电模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、ADC、模拟比较器和中断系统继续工作。关断模式保存寄存器内容，禁用所有芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了ADC，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器正在运行，而设备的其他部分正在休眠，从而实现非常快的启动，并结合低功耗。

该设备采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP闪存允许通过SPI串行接口，通过传统的非易失性存储器程序员或在AVR核心上运行的片上引导代码，对程序存储器进行系统内重新编程。

• 高性能、低功耗的AVR 8位微控制器
• 先进的RISC架构 – 123条强大指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32x8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在20MHz下可达20 MIPS吞吐量
• 高耐久性的非易失性存储段 – 2/4/8K字节的系统内自编程Flash程序存储器 耐久性：10,000次写/擦除循环 – 128/256/512字节的系统内可编程EEPROM 耐久性：100,000次写/擦除循环 – 128/256/512字节的内部SRAM – 数据保持：85°C下20年 / 25°C下100年 – 通过SPI端口进行系统内编程 – 用于软件安全的编程锁定
• 外围特性 – 一个带预分频器的8/16位定时器/计数器 – 一个带预分频器的8/10位高速定时器/计数器 3个具有独立输出比较寄存器的高频PWM输出 可编程死区时间生成器 – 10位ADC 11个单端通道 16对差分ADC通道 15对带有可编程增益（1x,8x,20x,32x）的差分ADC通道 – 片上模拟比较器 – 带有独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 带启动条件检测器的通用串行接口 – 引脚变化中断和唤醒
• 特殊微控制器特性 – debugWIRE片上调试系统 – 上电复位和可编程掉电检测 – 内部校准振荡器 – 外部和内部中断源 – 四种睡眠模式：低功耗空闲、ADC降噪、待机和断电 – 片上温度传感器
• I/O和封装 – 16条可编程I/O线 – 20引脚PDIP，20引脚SOIC，20引脚TSSOP和32焊盘MLF
• 工作电压 – 1.8 – 5.5V
• 速度等级 – 0 – 4 MHz @ 1.8 – 5.5V – 0 – 10 MHz @ 2.7 – 5.5V – 0 – 20 MHz @ 4.5 – 5.5V
• 功耗在1MHz，1.8V，25°C – 活动模式：200 μA – 断电模式：0.1 μA
• 2/4/8K字节系统内可编程Flash
• 128/256/512字节EEPROM
• 128/256/512字节SRAM
• 16条通用I/O线
• 32条通用工作寄存器
• 带比较模式的8位定时器/计数器
• 8位高速定时器/计数器
• 通用串行接口
• 内部和外部中断
• 11通道、10位ADC
• 带内部振荡器的可编程看门狗定时器
• 四种软件可选省电模式
• 系统内可重编程Flash存储器
• Flash存储器耐久性为10,000次写/擦除循环
• EEPROM存储器耐久性为100,000次写/擦除循环
• 数据保持：85°C下20年或25°C下100年
• 片上ISP Flash允许通过SPI串行接口在系统中重新编程程序存储器
• 提供全面的驱动程序、应用笔记、数据表和开发工具下载
• 文档中包含简单的代码示例
• 可靠性认证结果显示，在85°C下20年或25°C下100年的预计数据保持失败率远低于1 PPM
• 哈佛架构，程序和数据有独立的存储器和总线
• 32x8位通用工作寄存器，具有单时钟周期访问时间
• 32个寄存器中的6个可用作三个16位间接地址指针寄存器，用于数据空间寻址
• ALU支持寄存器之间或常数与寄存器之间的算术和逻辑运算
• 栈大小受限于总的SRAM大小和使用情况
• 灵活的中断模块，在中断向量表中有单独的中断向量
• I/O存储空间中有64个CPU外设功能地址
• 状态寄存器包含最近执行的算术指令结果信息
• 状态寄存器中的全局中断使能位、位复制存储、半进位标志、符号位、二进制补码溢出标志、负标志、零标志和进位标志
• X寄存器、Y寄存器和Z寄存器用于数据空间的间接寻址
• 栈指针始终指向数据SRAM中栈的顶部
• 栈实现为从高到低的内存位置增长
• 指令执行时序，支持并行指令获取和执行
• 复位和中断处理，具有单独的使能位和优先级
• 系统内可重编程Flash程序存储器，耐久性为10,000次写/擦除循环
• SRAM数据存储器，内部数据SRAM为128/256/512字节
• 数据存储器五种不同的寻址模式：直接、带偏移的间接、间接、带前减的间接和带后增的间接