- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SLG59H1006V
22V、13.1mΩ、5A负载开关，带Vin锁定选择和MOSFET电流监测输出
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG59H1006V
- 商品编号
- C3216671
- 商品封装
- STQFN-18(1.6x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 负载开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 工作电压 | 4.5V~22V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 5A | |
| 导通电阻 | 13.1mΩ | |
| 功能特性 | 过热保护(OTP)；过压保护(OVP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP)；欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SLG59H1006V 是一款高性能、自供电的 13.1 mΩ NMOS 负载开关，专为所有 4.5 V 至 22 V、最高 5 A 的电源轨设计。通过采用专有 MOSFET 设计，该器件在宽输入电压范围内实现了稳定的 13.1 mΩ RDS(ON)。结合创新的 FET 设计和铜柱互连技术，SLG59H1006V 封装还展现出低热阻特性，适用于大电流工作。该器件设计工作温度范围为 -40 °C 至 85 °C，采用低热阻、符合 RoHS 标准的 1.6 × 3.0 mm STQFN 封装。
商品特性
- 宽工作输入电压范围：4.5 V 至 22 V
- 最大连续电流：5 A
- 自动 nFET SOA 保护
- 5 W SOA 保护阈值
- 高性能 MOSFET 开关：低 RDS(ON)：在 VIN = 22 V 时为 13.1 mΩ；低 ΔRDS(ON)/ΔVIN：< 0.05 mΩ/V；低 ΔRDS(ON)/ΔT：< 0.06 mΩ/°C
- 4 级、引脚可选 VIN 过压锁定
- 电容可调浪涌电流控制
- 两级电流限制保护：电阻可调有源电流限制；内部短路电流限制
- 开漏 FAULT 信号指示
- MOSFET 电流模拟输出监视器：10 µA/A
- 快速 4 kΩ 输出放电
- 无铅/无卤素/符合 RoHS 标准的封装
应用领域
- 电源轨切换
- 多功能打印机
- 大幅面复印机
- 电信设备
- 高性能计算