SLG59H1120V

SLG59H1120V是一款高性能、自供电的18 mΩ NMOS负载开关，专为所有4.5 V至12 V、高达5 A的电源轨设计。采用专有MOSFET设计，该器件在宽输入电压范围内实现了稳定的18 mΩ RDS(ON)。通过结合新颖的FET设计和铜柱互连技术，其封装还展现出低热阻特性，适合大电流工作。该器件设计工作温度范围为-40 °C至85 °C，采用符合RoHS标准的低热阻1.6×3.0 mm STQFN封装。

• 宽工作输入电压范围：4.5 V至13.2 V
• 最大连续电流：5 A
• 自动nFET安全工作区保护
• 5 W安全工作区保护阈值
• 高性能MOSFET开关：低RDS(ON)：在VIN = 12 V时为18 mΩ；低ΔRDS(ON)/ΔVIN：< 0.05 mΩ/V；低ΔRDS(ON)/ΔT：< 0.06 mΩ/°C
• 3电平、引脚可选的VIN过压锁定
• 电容可调浪涌电流控制
• 两级电流限制保护：电阻可调有源电流限制；内部短路电流限制
• 开漏故障信号指示
• MOSFET电流模拟输出监控：10 µA/A
• 快速4 kΩ输出放电
• 无铅/无卤素/符合RoHS标准的封装

• 企业计算与电信设备5 V和12 V负载点配电
• PCI/PCIe适配卡
• 通用高压电源轨切换
• 多功能打印机
• 风扇电机控制