IR2301SPBF.1
高侧和低侧驱动器
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- 描述
- IR2301(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫逻辑技术使其结构坚固。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IR2301SPBF.1
- 商品编号
- C3212603
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作电压 | 5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，其工作电压高达 600 伏。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计，可在高达 +600V 的电压下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压，抗 dV/dt 干扰
- 栅极驱动电源范围为 5 至 20V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
- 双通道的传播延迟匹配
- 逻辑地和功率地之间的偏移为 +/-5V
- 较低的 di/dt 栅极驱动器，具备更好的抗噪性能
- 输出与输入同相
- 也提供无铅 (PbF) 版本