商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光电二极管 | |
| 直流反向耐压(Vr) | 400V | |
| 峰值波长 | 430nm |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 频谱范围 | 400nm~700nm | |
| 暗电流 | 1.5nA | |
| 工作温度 | 0℃~+50℃ |
商品概述
C30739ECERH大面积硅雪崩光电二极管(APD)适用于各种宽带低光水平应用,光谱范围从低于400nm到超过700nm。该器件旨在增强短波长响应度,在430nm处量子效率通常超过80%。此外,这款大面积APD针对低噪声和低电容(60pF)进行了优化。特殊高增益版本可在430nm处实现高达M = 400的雪崩增益。标准陶瓷载体封装便于操作,并可与LSO和BGO等闪烁晶体耦合。结合出色的短波长响应能力,使这款APD非常适合用于如正电子发射断层扫描(PET)等对性能要求高、批量大的应用。
商品特性
- 大面积硅APD
- 短波长增强响应度
- 短波长(430nm)下高量子效率(80%)
- 易于与闪烁晶体耦合
- 非磁性封装
- 可定制封装
- 出色的时间分辨率
- 符合RoHS标准
应用领域
- 分子成像(PET)
- 核医学
- 荧光检测
- 高能物理
- 安全辐射检测
- 光学断层扫描
- 环境监测

