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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GD25Q64EQIGR

GD25Q64EQIGR

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商品型号
GD25Q64EQIGR
商品编号
C3202817
商品封装
USON-8-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量64Mbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
待机电流5uA
擦写寿命100000次
写周期时间(Tw)10ms
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

GD25Q64E(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

商品特性

  • 64M位串行闪存
  • 8192K字节
  • 每个可编程页256字节
  • 标准、双、四SPI
  • 标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
  • 双SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
  • 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
  • 高速时钟频率
  • 快速读取时为133MHz
  • 双I/O数据传输速度高达266Mbit/s
  • 四I/O数据传输速度高达532Mbit/s
  • 软件/硬件写保护
  • 通过软件对全部或部分内存进行写保护
  • 使用WP#引脚启用/禁用保护
  • 顶部/底部块保护
  • 耐久性和数据保留
  • 最少100,000次编程/擦除循环
  • 典型20年数据保留
  • 允许就地执行(XiP)操作
  • 高速读取减少整体XiP指令提取时间
  • 带环绕的连续读取进一步减少数据延迟以填充SoC缓存
  • 快速编程/擦除速度
  • 页编程时间:典型0.5ms
  • 扇区擦除时间:典型45ms
  • 块擦除时间:典型0.15s/0.25s
  • 芯片擦除时间:典型25s
  • 灵活架构
  • 4K字节统一扇区
  • 32/64K字节统一块
  • 低功耗
  • 典型待机电流12μA
  • 典型深度掉电电流1μA
  • 高级安全特性
  • 每个设备有128位唯一ID
  • 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器
  • 带OTP锁的3×1024字节安全寄存器
  • 单电源电压
  • 全电压范围:2.7 - 3.6V
  • 封装信息
  • FO-USON8(3×2mm)
  • USON8(3×4mm)
  • USON8(4×4mm)
  • SOP8 150mil
  • WSON8(6×5mm)
  • SOP8 208mil
  • WSON8(8×6mm)
  • TFBGA - 24球(5×5球阵列)
  • TFBGA - 24球(4×6球阵列)
  • SOP16 300mil

数据手册PDF