- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD25B16EEIGR
GD25B16EEIGR
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- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD25B16EEIGR
- 商品编号
- C3202802
- 商品封装
- USON-8-EP(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 133MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 11uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 400us | |
| 块擦除时间(tBE) | 250ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护 |
商品概述
GD25B16E（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2、I/O3。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。
商品特性
- 16M位串行闪存，2048K字节，每页可编程256字节
- 支持标准、双线、四线SPI接口
- 高速时钟频率，快速读取可达133MHz，双线I/O数据传输速率达266Mbits/s，四线I/O数据传输速率达532Mbits/s
- 支持软件和硬件写保护
- 耐久性：至少100,000次编程/擦除周期，数据保存期典型值为20年
- 支持就地执行操作，高速读取减少指令获取时间，连续读取进一步降低数据延迟
- 快速编程/擦除速度，页编程时间典型值0.4ms，扇区擦除时间典型值45ms，块擦除时间典型值0.15s/0.25s，芯片擦除时间典型值6s
- 灵活架构，统一4K字节扇区，统一32/64K字节块
- 低功耗，典型待机电流11μA，典型深度掉电电流1μA
- 高级安全功能，每个器件具有128位ID，串行闪存可发现参数寄存器，2x1024字节带一次性可编程锁的安全寄存器
- 单电源电压，全电压范围2.7-3.6V
- 提供多种封装