QS5Y2FSTR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 180@50mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 320MHz；300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@1A,50mA；350mV@1A,50mA | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 低饱和电压，典型值：
- VCE(饱和) = -400mV（最大值）（IC/IB = -1A/-50mA）
- VCE(饱和) = 350mV（最大值）（IC/IB = 1A/50mA）
- 高速开关
应用领域
- 低频放大器
- 高速开关