商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 50@500mA,10V | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
这款RHA 2N3019和2N3019S二级NPN引脚式金属器件通过了抗辐射加固认证，适用于高可靠性应用。美高森美（Microsemi）还提供众多其他晶体管产品，可满足通孔和表面贴装封装在不同开关速度要求下的高低功率额定值。
商品特性
- JEDEC注册型号2N3019。
- 符合MIL-PRF-19500/391标准的RHA JAN级认证（所有选项见部件命名规则）。
应用领域
- 引脚式TO-39和TO-5封装。
- 重量轻。
- 低功耗。