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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 40@1A,2V | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@2A,200mA | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
该系列高频外延平面晶体管具有低饱和电压的特点。这些器件也提供TO - 39和薄型U4封装。美高森美（Microsemi）还提供众多其他晶体管产品，以满足通孔和表面贴装封装中不同开关速度要求下的高低功率额定值。
商品特性
- JEDEC注册的2N3418至2N3421系列。
- 可提供符合MIL - PRF - 19500/393标准的JAN、JANTX和JANTXV等级产品。
- 有符合RoHS标准的版本（仅商业级）。
- 在集电极电流IC = 1 A时，集电极 - 发射极饱和电压VCE(sat) = 0.25 V。
- 在集电极电流IC = 1.0 A、基极电流IB1 = 100 mA时，上升时间tr最大为0.22 μs。
- 在集电极电流IC = 1.0 A、基极电流IB2 = - 100 mA时，下降时间tf最大为0.20 μs。
应用领域
适用于需要高频开关和薄型封装的中功率通用晶体管应用。