- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 40 | |
| 特征频率(fT) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 200nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 900mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品特性
- 气密密封 TO-46 金属罐封装
- 也提供芯片形式
- 芯片尺寸 0806
- 参考文件：MIL-PRF-19500/395
应用领域
- 通用
- 低功耗
- NPN 硅晶体管