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NESG2101M05-T1-A
NESG2101M05-T1-A
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NESG2101M05-T1-A
- 商品编号
- C3198607
- 商品封装
- SOT-343F
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 130 | |
| 特征频率(fT) | 17GHz |
商品特性
- 该器件是中等输出功率、高增益放大以及低失真、低噪声、高增益放大的理想选择
- 典型值PO(1dB) = 21 dBm，条件为VCE = 3.6 V，ICq = 10 mA，f = 2 GHz
- 典型值NF = 0.6 dB，典型值Ga = 19.0 dB，条件为VCE = 2 V，IC = 7 mA，f = 1 GHz
- 最大稳定功率增益：典型值MSG = 17.0 dB，条件为VCE = 3 V，IC = 50 mA，f = 2 GHz
- 采用硅锗晶体管的高击穿电压技术：VCEO（绝对最大额定值） = 5.0 V
- 扁平引脚4引脚薄型超小型封装（M05）