NESG2031M05-T1-A
NESG2031M05-T1-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NESG2031M05-T1-A
- 商品编号
- C3198606
- 商品封装
- SOT-343F
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 35mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 175mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 130@5mA,2V | |
| 特征频率(fT) | 25GHz |
商品特性
- 该器件是低噪声、低电流高增益放大的理想选择。
- 典型噪声系数（NF） = 0.8 dB，典型增益（Ga） = 17.0 dB，条件为集电极 - 发射极电压（VCE） = 2 V，集电极电流（IC） = 5 mA，频率（f） = 2 GHz
- 典型噪声系数（NF） = 1.3 dB，典型增益（Ga） = 10.0 dB，条件为集电极 - 发射极电压（VCE） = 2 V，集电极电流（IC） = 5 mA，频率（f） = 5.2 GHz
- 最大稳定功率增益：典型值 MSG = 21.5 dB，条件为集电极 - 发射极电压（VCE） = 3 V，集电极电流（IC） = 20 mA，频率（f） = 2 GHz
- 采用硅锗晶体管（SiGe Tr）的高击穿电压技术：集电极 - 发射极击穿电压（VCEO）（绝对最大额定值） = 5.0 V
- 扁平引脚 4 引脚薄型超小型封装（M05）
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