SMMUN2213LT1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT通过将这些独立组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。使用BRT可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用SOT - 23封装，专为低功率表面贴装应用而设计。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间和元件数量-提供无铅封装