NSBA114EDXV6T1
NSBA114EDXV6T1
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBA114EDXV6T1
- 商品编号
- C3196309
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 357mW | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 数量 | 2个PNP |
商品概述
偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个基极串联电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，从而省去了它们。在NSBA114EDXV6T1系列中，两个BRT器件封装在SOT - 563封装中，该封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-这些是无铅器件