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三极管(BJT)
BC847BW/MI115
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
BC847BW/MI115
商品编号
C3196258
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
三极管(BJT)
晶体管类型
NPN
集电极电流(Ic)
100mA
集射极击穿电压(Vceo)
45V
耗散功率(Pd)
200mW
特征频率(fT)
100MHz
属性
参数值
集电极截止电流(Icbo)
5uA
集射极饱和电压(VCE(sat))
200mV@10mA,0.5mA
工作温度
-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)
6V
数量
1个NPN
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