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PDTB113ZU135

PDTB113ZU135

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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PDTB113ZU135
商品编号
C3196255
包装方式
袋装
商品毛重
0.274克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)425mW
特征频率(fT)140MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@50mA,2.5mA
工作温度-55℃~+175℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP