EMD4DXV6T5
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了这些组件。在EMD4DXV6T1系列中，两个互补的BRT器件封装在SOT - 563封装中，这种封装非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- NSV前缀适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些是无铅器件