PDTD113ZU135
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 425mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 225MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
采用超小型SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的NPN电阻式晶体管 (RET) 系列。
商品特性
- 输出电流能力达500 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少元件数量
- 电阻比率容差为±10%
- 通过AEC-Q101认证
- 适用于高达175°C的高温应用
应用领域
- 集成电路输入控制
- 在数字应用中，可作为BC807或BC817系列晶体管的低成本替代方案
- 开关负载