NSBC124EDXV6T5
NSBC124EDXV6T5
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSBC124EDXV6T5
- 商品编号
- C3195480
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 数量 | 2个NPN |
商品概述
BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管；一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中，从而省去了它们。在NSBC114EDXV6T1系列中，两个BRT器件封装在SOT - 563封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用而言是理想选择。
商品特性
-简化电路设计-减少电路板空间-减少元件数量-无铅焊料镀层-这些是无铅器件