IXXN110N65B4H1
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.65nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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