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F1429LBNELI8引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

F1429LBNELI8

F1429LBNELI8

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商品型号
F1429LBNELI8
商品编号
C3187922
商品封装
VFQFPN-12(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.066克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF放大器
频率1.4GHz~3.2GHz
增益18dB
噪声系数4dB
工作电压5V
工作电流70mA
属性参数值
P1dB22dBm
工作温度-40℃~+115℃
输入回波损耗27dB
输出回波损耗13dB
IP340dBm
功能特性-

商品概述

F1429LB是一款差分输入、单端输出的1.4GHz至3.2GHz高增益射频放大器。该器件结合了阻抗变换、高增益、高线性度和低噪声性能,使其成为多种发射器应用中理想的第一级放大器。该器件针对单5V电源供电和64mA标称ICC进行了优化。在2.5GHz工作时,该器件通常提供21.5dB增益、1.9dB噪声系数、+40dBm OIP3和+22dBm OP1dB。F1429LB与Renesas的F1429xx系列射频放大器引脚兼容。每个F1429变体均采用2×2mm 12-DFN封装,具有100Ω差分射频输入和50Ω单端射频输出阻抗,便于集成到信号路径中。

商品特性

  • 射频范围:1.4GHz至3.2GHz
  • 增益:在2.5GHz时典型值为21.5dB
  • 噪声系数:在2.5GHz时典型值为1.9dB
  • OIP3:在2.5GHz时典型值为+40dBm
  • 输出P1dB:在2.5GHz时典型值为+22dBm
  • 增益随温度变化:典型值为±0.2
  • 100Ω差分输入阻抗
  • 50Ω单端输出阻抗
  • 3.3V或5V电源供电
  • 在5V时ICC为64mA
  • 1.3mA待机电流
  • 支持1.8V和3.3V逻辑用于STBY控制
  • 工作温度范围:-40°C至+115°C
  • 2×2mm 12-DFN封装

应用领域

  • 5G大规模MIMO基站
  • 4G TDD和FDD基站
  • 中继器和分布式天线系统
  • 点对点基础设施

数据手册PDF