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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MAX8539EEI

双同步降压控制器,用于DDR内存电源供应

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描述
MAX8539是一款双同步降压控制器,用于DDR内存电源供应。它支持DDR和组合电源供应,生成三个输出:主内存电压(VpDQ)、跟踪沉降/源电压(VTT)和终止参考电压(VTTR)。每个降压控制器可以提供高达25A的电流,而终止参考电压可以提供高达15mA的输出。MAX8539支持4.5V至23V的宽输入电压范围,输出电压可调范围为0.8V至3.6V,精度为1%。开关频率可在200kHz至1.4MHz之间调整。
商品型号
MAX8539EEI
商品编号
C3187041
商品封装
SSOP-28-150mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.309克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压4.5V~23V
输出电压800mV~3.6V
输出电流-
开关频率200kHz~1.4MHz
工作温度-40℃~+85℃
属性参数值
同步整流
输出通道数3
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)外置
输出类型-

商品概述

MAX8537/MAX8539控制器为双倍数据速率(DDR)电源和组合电源提供了完整的电源管理解决方案。MAX8537和MAX8539分别配置用于异相和同相DDR电源操作,并产生三个输出:主内存电压(VDDQ)、跟踪吸收/源出端接电压(VTT)和端接参考电压(VTTR)。MAX8538配置为用于负载点电源的双异相控制器。每个降压控制器可源出或吸收高达25A的电流,而端接参考可提供高达15mA的输出电流。 MAX8537/MAX8538/MAX8539采用恒定频率电压模式架构,工作频率为200kHz至1.4MHz。内部高带宽(25MHz)运算放大器用作误差放大器来调节输出电压。这允许快速瞬态响应,减少输出电容器的数量。全N沟道FET设计优化了效率和成本。MAX8537/MAX8538/MAX8539具有1%精度的参考电压。MAX8537/MAX8539中的第二个同步降压控制器和VTTR放大器为VTT和VTTR生成1/2 VDDQ电压,并在±1%范围内跟踪VDDQ。 该系列控制器采用高端电流检测架构进行电流限制。ILIM引脚允许为不同的负载电流和RDSON组合设置可调、无损的电流限制。或者,通过与高端FET串联使用检测电阻可实现更精确的过流限制。当输出电压超过其设定输出的17%时,通过锁存关断高端MOSFET并锁存导通低端MOSFET来实现过压保护。独立的使能、电源正常和软启动功能增强了灵活性。

商品特性

  • 完整的DDR电源
  • 双非跟踪控制器
  • 异相(MAX8537/MAX8538)或同相(MAX8539)操作
  • 4.5V至23V宽输入范围(使用外部5V电源时可低至1.8V输入下工作)
  • 跟踪电源保持VTTR = VTTR = 1/2 VDDQ
  • 0.8V至3.6V可调输出,精度为1%
  • VTTR参考源可源出和吸收高达15mA电流
  • 200kHz至1.4MHz可调开关频率
  • 可实现全陶瓷设计
  • 效率>90%
  • 独立的POK_和EN_
  • 每个输出可调节软启动和软停止
  • 无损可调打嗝式电流限制
  • 输出过压保护
  • 28引脚QSOP封装

应用领域

  • DDR内存电源
  • 笔记本电脑和台式电脑
  • 服务器和存储系统
  • 宽带路由器
  • XDSL调制解调器和路由器
  • 为DSP内核供电
  • 高级VGA卡中的功率合成器
  • 网络系统
  • RAMBUS内存电源

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