XM1002-BD-EV1
XM1002-BD-EV1
- 描述
- MACOM的34.0-46.0 GHz GaAs MMIC基本图像抑制混频器可用作上变频或下变频器。该设备具有7.0 dB的转换损耗和20.0 dB的图像抑制。I和Q混频器输出提供，并需要外部90度混合器来选择所需的边带。此MMIC使用MACOM Tech的GaAs PHEMT器件模型技术，并基于电子束光刻技术以确保高重复性和均匀性。芯片表面钝化以保护并提供坚固的部件，背面有通孔和金金属化，允许使用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片粘接过程。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- XM1002-BD-EV1
- 商品编号
- C3176545
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 7dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
34.0 - 46.0 GHz GaAs MMIC基波镜像抑制混频器可用作上变频器或下变频器。该器件在整个频段内的转换损耗为7.0 dB，镜像抑制为20.0 dB。提供I和Q混频器输出，需要一个外部90度混合器来选择所需的边带。这款MMIC采用GaAs PHEMT器件模型技术，并基于电子束光刻技术，以确保高重复性和一致性。芯片具有表面钝化层以提供保护，是一款坚固耐用的部件，背面有通孔和镀金金属层，可采用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片贴装。该器件非常适合毫米波点对点无线电、本地多点分配系统（LMDS）、卫星通信（SATCOM）和甚小口径终端（VSAT）应用。
商品特性
- 基波镜像抑制混频器
- 7.0 dB转换损耗
- 20.0 dB镜像抑制
- +24 dBm输入三阶交调截点
- 100%晶圆级射频测试
- 按照MIL-STD-883方法2010进行100%外观检查
- 符合RoHS标准，兼容260℃回流焊
应用领域
- 毫米波点对点无线电
- 本地多点分配系统（LMDS）
- 卫星通信（SATCOM）
- 甚小口径终端（VSAT）