FS770R08A6P2LB

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: FS770R08A6P2LB
商品编号: C3171395
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	654W
	集射极击穿电压(Vces)	750V
	集电极电流(Ic)	450A
	集电极脉冲电流(Icm)	1540A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1.35V
	栅极阈值电压(Vge(th))	5.8V
	栅极电荷量(Qg)	4.4uC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	80nF
	输出电容(Coes)	1nF
	反向传输电容(Cres)	300pF
	开启延迟时间(Td(on))	280ns
	关断延迟时间(Td(off))	940ns
	导通损耗(Eon)	13.5mJ
	关断损耗(Eoff)	23.5mJ
	反向恢复时间(Trr)	-
	工作温度	-40℃~+175℃

商品概述

该产品是一款高度集成的六合一功率模块，专为混合动力和电动汽车优化设计。它采用新型 EDT2 IGBT 技术，这是一种专为电驱动系统应用优化的汽车级微沟槽场截止元胞设计。该芯片组具有卓越的电流密度，同时兼具短路鲁棒性和更高的阻断电压，确保在严苛环境条件下逆变器可靠运行。EDT2 IGBT 在轻载条件下的功率损耗表现优异，有助于提升实际驾驶循环中的系统效率。该模块还集成了机械导向元件，便于客户组装。此外，信号端子的压接引脚设计避免了额外耗时的选择性焊接工艺，从而节省系统成本并提高系统可靠性。该系列产品允许以最小的逆变器设计工作量，对不同功率等级的逆变器进行极具成本效益的扩展。

商品特性

采用 EDT2 IGBT 和二极管
阻断电压 750V
低 VCEsat
低开关损耗
低 Qg 和 Crss
低电感设计
工作结温 Tvjop = 150°C
短时扩展工作结温 Tvjop = 175°C
4.2kV DC 持续1秒绝缘
高爬电距离和电气间隙
紧凑设计
高功率密度
带键合带的直接冷却基板
用于 PCB 和散热器组装的导向元件
集成 NTC 温度传感器
压接接触技术
符合 RoHS 标准
UL 94 V0 模块框架

应用领域

汽车应用
混合动力电动汽车 (H)EV
电机驱动
商用农用车辆

数据手册PDF

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