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LGD18N45TH引脚图
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LGD18N45TH

LGD18N45TH

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商品型号
LGD18N45TH
商品编号
C3171454
包装方式
编带
商品毛重
0.387克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
耗散功率(Pd)115W
集射极击穿电压(Vces)450V
集电极电流(Ic)18A
集电极脉冲电流(Icm)50A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.3V
栅极阈值电压(Vge(th))1.56V
栅极电荷量(Qg)-
属性参数值
输入电容(Cies)780pF
输出电容(Coes)72pF
反向传输电容(Cres)6pF
开启延迟时间(Td(on))420ns
关断延迟时间(Td(off))2.9us
导通损耗(Eon)-
关断损耗(Eoff)-
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)采用单片电路设计,集成了ESD和过压钳位保护功能,适用于感性线圈驱动器应用。其主要用途包括点火、直接燃油喷射,以及其他需要高压大电流开关的场合。

商品特性

  • 适用于线圈在插塞应用
  • DPAK封装提供更小占位面积,增加电路板空间
  • 栅极-发射极ESD保护
  • 温度补偿的栅极-收集极电压钳位,限制施加在负载上的应力
  • 低阈值电压,便于将功率负载连接到逻辑或微处理器设备
  • 低饱和电压
  • 高脉冲电流能力
  • 通过AEC-Q101认证
  • 无铅器件
  • 发射极镇流,具备短路能力

数据手册PDF