LGD18N45TH
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 450V | |
| 集电极电流(Ic) | 18A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 50A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.56V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 780pF | |
| 输出电容(Coes) | 72pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 420ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 2.9us | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款逻辑电平绝缘栅双极晶体管(IGBT)采用单片电路设计,集成了ESD和过压钳位保护功能,适用于感性线圈驱动器应用。其主要用途包括点火、直接燃油喷射,以及其他需要高压大电流开关的场合。
商品特性
- 适用于线圈在插塞应用
- DPAK封装提供更小占位面积,增加电路板空间
- 栅极-发射极ESD保护
- 温度补偿的栅极-收集极电压钳位,限制施加在负载上的应力
- 低阈值电压,便于将功率负载连接到逻辑或微处理器设备
- 低饱和电压
- 高脉冲电流能力
- 通过AEC-Q101认证
- 无铅器件
- 发射极镇流,具备短路能力
- FP30R06W1E3PBPSA1
- IRG4PC40KDPBF-IR
- IG77E20CS
- FF800R17KP4B2
- DDB6U104N18RRBOSA1
- F4200R12N3H3FB11BPSA1
- FF600R12ME4CPB11
- ITF38IF1200HJ
- FZ2400R17HP4
- RJP4055DPP-91#T2
- F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
- MIXG360RF1200P-PC
- MIXG330PF1200PTSF
- NXH027B120MNF2PTG
- FP100R12N3T4B80BPSA1
- F4100R06KL4
- FD800R17KE3B2
- IRG4BC40KPBF
- FP75R12W3T7B11BPSA1
- DDB6U50N16W1RPBPSA1
- FF2400RB12IP7PBPSA1


