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HGT1S12N60C3S9AR4501

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商品参数

参数完善中

这一系列MOS栅极高压开关器件结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。在25°C至150°C之间，低得多的导通状态电压降变化适中。所使用的IGBT是开发型号TA49123。与IGBT反并联使用的二极管是开发型号TA49188。

IGBT非常适合许多在中等频率下运行的高压开关应用，在这些应用中，低传导损耗至关重要。

以前的开发型号是TA49182。