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FS100R12N2T4P引脚图
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FS100R12N2T4P

FS100R12N2T4P

商品型号
FS100R12N2T4P
商品编号
C3171362
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V;1.75V
栅极阈值电压(Vge(th))5.05V;6.45V
栅极电荷量(Qg)800nC
属性参数值
输入电容(Cies)6.3nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)270pF
开启延迟时间(Td(on))130ns;150ns
关断延迟时间(Td(off))300ns;400ns
导通损耗(Eon)7.2mJ;10.5mJ
关断损耗(Eoff)9mJ;5.4mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • Tvjop = 150°C
  • 沟槽型/场截止型 IGBT4 技术
  • 低集电极-发射极饱和压降
  • 具有正温度系数的集电极-发射极饱和压降
  • 预涂导热界面材料
  • 采用低热阻 Al2O3 DCB 基板
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 铜基板
  • 高功率和热循环能力

应用领域

  • 伺服驱动
  • 电机驱动
  • 辅助逆变器

数据手册PDF