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F4100R17N3E4引脚图
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F4100R17N3E4

F4100R17N3E4

商品型号
F4100R17N3E4
商品编号
C3171323
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型IGBT模块
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.7kV
集电极电流(Ic)100A
集电极脉冲电流(Icm)200A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))2.45V;1.95V
栅极阈值电压(Vge(th))5.35V;6.25V
栅极电荷量(Qg)1.2uC
属性参数值
输入电容(Cies)9nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)290pF
开启延迟时间(Td(on))230ns;201ns
关断延迟时间(Td(off))416ns;600ns
导通损耗(Eon)19.4mJ;29.1mJ
关断损耗(Eoff)34.1mJ;17.7mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • 低V_CEsat
  • T_vjop = 150°C
  • Trench-IGBT-4
  • V_CEsat具有正温度系数
  • 集成NTC温度传感器
  • 隔离基板
  • 焊接连接技术
  • 标准外壳

应用领域

  • 高功率变流器
  • 中压驱动器

数据手册PDF