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FP75R12KT4P引脚图
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  • 焊盘图

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FP75R12KT4P

FP75R12KT4P

商品型号
FP75R12KT4P
商品编号
C3171274
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)-
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)75A
集电极脉冲电流(Icm)150A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.85V;2.15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.2V;6.4V
栅极电荷量(Qg)570nC
属性参数值
输入电容(Cies)4.3nF
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)160pF
开启延迟时间(Td(on))160ns
关断延迟时间(Td(off))340ns
导通损耗(Eon)3.1mJ
关断损耗(Eoff)4.2mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

该模块采用快速沟槽/场截止IGBT4技术和发射极控制4二极管,集成NTC温度传感器,并预涂了热界面材料,具有低开关损耗和低饱和压降等特性。

商品特性

  • 低开关损耗
  • 低Vcesat
  • Tvjop = 150°C
  • Vcesat具有正温度系数
  • 高功率和热循环能力
  • 集成NTC温度传感器
  • 铜基板
  • 焊接接触技术
  • 标准外壳
  • 预涂热界面材料

应用领域

  • 辅助逆变器
  • 电机驱动器
  • 伺服驱动器

数据手册PDF