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FF200R12MT4引脚图
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FF200R12MT4

FF200R12MT4

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商品型号
FF200R12MT4
商品编号
C3171242
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)1.05kW
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)295A
集电极脉冲电流(Icm)400A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))-
栅极阈值电压(Vge(th))-
栅极电荷量(Qg)1.65uC@30V
属性参数值
输入电容(Cies)14nF@25V
输出电容(Coes)-
反向传输电容(Cres)500pF
开启延迟时间(Td(on))150ns;140ns
关断延迟时间(Td(off))420ns;320ns;400ns
导通损耗(Eon)20.5mJ;18.5mJ;10.5mJ
关断损耗(Eoff)18.5mJ;16.5mJ;11mJ
反向恢复时间(Trr)-
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

EconoDUAL 2模块采用第四代高速沟槽栅/场终止IGBT和第四代发射极控制二极管,带有温度检测。V_CES = 1200V,ΔI_Cnom = 200A / ΔI_CRM = 400A

商品特性

  • 提高工作结温Tvj op
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • VCEsat带正温度系数
  • 低VCEsat
  • 绝缘的基板
  • 标准封装

应用领域

  • 电机传动
  • UPS系统

数据手册PDF