- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FF200R12MT4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 295A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 14nF@25V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
EconoDUAL 2模块采用第四代高速沟槽栅/场终止IGBT和第四代发射极控制二极管，带有温度检测。V_CES = 1200V，ΔI_Cnom = 200A / ΔI_CRM = 400A
商品特性
- 提高工作结温Tvj op
- 高电流密度
- 低开关损耗
- VCEsat带正温度系数
- 低VCEsat
- 绝缘的基板
- 标准封装
应用领域
- 电机传动
- UPS系统
- FS25R12KE3G
- DF300R12KE3
- DF200R07W2H3B77BPSA1
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