IKW25N120T2XK

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IKW25N120T2XK
商品编号: C3171089
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.55克(g)

商品参数

商品概述

IKW25N120T2XK# 是一款低损耗双封装 IGBT 模块，采用第二代 TrenchStop® 技术，并集成了软快恢复反并联发射极控制二极管。该器件具备 10 μs 的短路耐受时间，专为频率转换器和不同断电源应用而设计。第二代 TrenchStop® 技术针对 1200V 应用，提供了非常紧凑的参数分布、高鲁棒性以及温度稳定性。得益于 VCE(sat) 的正温度系数，该器件易于并联使用。产品符合 JEDEC 标准，采用无铅电镀，符合 RoHS 指令。

商品特性

采用第二代 TrenchStop® 技术，适用于 1200V 应用，具有参数分布紧凑、鲁棒性高、温度行为稳定的特点
得益于集电极-发射极饱和电压的正温度系数，具备出色的并联能力
低电磁干扰
低栅极电荷
集成非常柔软、快速恢复的反并联发射极控制高效二极管
符合目标应用的 JEDEC 标准认证
采用无铅引线电镀，符合 RoHS 规范

应用领域

频率转换器
不同断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	349W
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	50A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	-
	导通损耗(Eon)	1.55mJ
	关断损耗(Eoff)	1.35mJ
	反向恢复时间(Trr)	195ns
	工作温度	-40℃~+175℃@(Tj)