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IKA08N65ET6XKSA1
TRENCHSTOP IGBT6绝缘栅双极型晶体管，带反并联Rapid二极管
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- 描述
- 特性：极低的VCE(sat) 1.5V（典型值）。 最高结温175℃。 短路耐受时间3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器。通用驱动器（GPD）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKA08N65ET6XKSA1
- 商品编号
- C3171043
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 11A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 输出电容(Coes) | 29pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 25A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V@0.12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 480pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 59ns | |
| 导通损耗(Eon) | 110uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 40uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 43ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF |
商品特性
- 非常低的VCE(sat) 1.5V (典型值)
- 最大结温175°C
- 短路耐受时间3μs
- 适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有非常紧密的参数分布、高鲁棒性和温度稳定特性、低VCEsat和正温度系数
- 低栅极电荷QG
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 非常软、快速恢复的反并联Rapid二极管
- 完整的产品系列和PSpice模型
应用领域
- 驱动器
- 通用驱动器(GPD)
- 主要家用电器
- 空调
- 其他主要家用电器
- 小型家用电器
- 其他小型家用电器
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