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SW47N65K2
1个N沟道 耐压:650V 电流:47A
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- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SW47N65K2
- 商品编号
- C394220
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V,23A | |
| 耗散功率(Pd) | 338W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.515nF@200V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@200V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 15A、650V，漏源导通电阻RDS(on) = 0.44 Ω，在栅源电压VGS = 10 V时
- 低栅极电荷（典型值48.5 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值23.6 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力