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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.29nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 277pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
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