LTC7891RUFDM#TRPBF

一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。它解决了使用 GaN FET 时传统上面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，在无需保护二极管和其他额外外部组件的情况下简化了应用设计。

内部智能自举开关可防止在死区时间内 BOOST 引脚到 SW 引脚的高端驱动器电源过充电，保护顶部 GaN FET 的栅极。内部对两个开关边沿的栅极驱动器时序进行优化，以实现智能接近零死区时间，显著提高效率，并允许高频操作，即使在高输入电压下也是如此。或者，用户可以使用外部电阻调整死区时间以进行裕量调整或定制应用。

栅极驱动电压可在 4 V 至 5.5 V 之间精确调节，以优化性能，并允许使用不同的 GaN FET，甚至逻辑电平 MOSFET。

• 针对 GaN FET 进行全面优化的 GaN 驱动技术
• 宽 VIN 范围：4 V 至 100 V
• 宽输出电压范围：0.8V ≤ VOUT ≤ 60 V
• 无需续流、钳位或自举二极管
• 内部智能自举开关可防止高端驱动器电源过充电
• 内部优化的智能接近零死区时间或可通过电阻调节的死区时间
• 分离输出栅极驱动器，可调节导通和关断驱动强度
• 精确可调的驱动电压和欠压锁定 (UVLO)
• 低工作静态电流 (IQ)：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT）
• 可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
• 可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
• 扩频频率调制
• 28 引脚（4 mm x 5 mm）可侧焊 QFN 封装

• 工业电源系统
• 电信电源系统