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SVD540T
1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
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- 描述
- N沟道,100V,33A
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVD540T
- 商品编号
- C393725
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.239nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 247pF |
商品概述
SVD540T/D/K/F是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的新型扁平低压结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。 它可广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源。
商品特性
- 33A，100V，RDS（on）（典型值）=34mΩ@VGS = 10V
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电子镇流器
- 低功率开关电源