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SVD640T

1个N沟道耐压:200V 电流:18A

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描述: N沟道,200V,18A
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVD640T
商品编号: C393726
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.62克(g)

商品参数

商品概述

SVD640T/D/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用 Silicon 公司专有的 S-Rin™ 结构 VDMOS 技术制造。改进后的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。

商品特性

18A、200V，RDS(on)（典型值）=0.12Ω@VGS=10V
低栅极电荷
低 Crss
快速开关
改善的 dv/dt 能力

应用领域

AC-DC 电源
DC-DC 转换器
H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	150W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.108nF
	反向传输电容(Crss)	34pF
	工作温度	-65℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	160pF