W25Q40RVZPJQ

3V 4M-BIT 串行闪存存储器，支持双/四SPI、QPI

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品牌名称: Winbond(华邦)
商品型号: W25Q40RVZPJQ
商品编号: C35455264
商品封装: WSON-8(5x6)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	15ms
	页写入时间(Tpp)	2ms
	块擦除时间(tBE)	1.2s@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	硬件写保护；绝对写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位；电源锁定保护

商品概述

W25Q40RV（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适用于代码影子到RAM、直接从双/四线SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件在单路2.7V至3.6V电源下工作，掉电模式下的电流消耗低至1μA。W25Q40RV阵列组织为2048个可编程页，每页256字节。每次最多可编程256字节。W25Q40RV分别具有128个可擦除扇区、16个可擦除32KB块和8/4个可擦除64KB块。4KB的小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。W25Q40RV支持标准串行外设接口（SPI）以及高性能双/四线输出和双/四线I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达133MHz的SPI时钟频率，当使用快速读双/四线I/O指令时，允许双线I/O达到266MHz（133MHz x 2）和四线I/O达到532MHz（133MHz x 4）的等效时钟速率。这些传输速率可以超越标准的异步8位和16位并行闪存。读命令旁路模式允许以低至8个时钟的指令开销读取24位地址来实现高效存储器访问，从而实现真正的XIP（就地执行）操作。该器件提供保持引脚、写保护引脚和可编程写保护功能。

商品特性

单路2.7V至3.6V电源供电
低功耗：工作电流5mA（典型值），掉电电流1μA（典型值）
灵活的架构：4KB扇区，32KB和64KB块
存储容量：4M位/512KB
标准、双线和四线SPI接口
支持QPI（四线外设接口）模式
软件和硬件写保护
顶部/底部块保护
可编程安全寄存器
保持功能
可配置输出驱动强度
快速读双/四线I/O指令
支持最高133MHz时钟频率
快速读命令旁路模式，实现高效XIP操作
每页256字节，可编程页大小
支持扇区擦除（4KB）、块擦除（32KB/64KB）和整片擦除
擦除/编程暂停和恢复功能
上电和掉电时序控制
高可靠性：100,000次编程/擦除周期，20年数据保持
工业增强级温度范围：-40℃至+105℃
符合RoHS标准，无卤素
提供多种封装：8引脚SOIC 150/208-mil，8焊盘WSON 6x5-mm，8焊盘XSON 2x3-mm
强大的ESD保护

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	133MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	10uA
	擦写寿命	100000次