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G02P06
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-1.6A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G02P06
- 商品编号
- C3151759
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 566pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
10+￥0.3067
100+￥0.2395
300+￥0.2059
3000+￥0.1821￥546.3
6000+￥0.162￥486
9000+￥0.1519￥455.7
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
30
江苏仓
430
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个 )个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交6单
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