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UCC21550BQDWRQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC21550BQDWRQ1

汽车4A、6A增强隔离双通道栅极驱动器

描述
是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。采用4A峰值拉电流和6A峰值灌电流来驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个5kV_RMS隔离栅与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度(CMTI)的最小值为125V/ns。保护功能包括:电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于5ns的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有UVLO保护。凭借所有这些高级特性,能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高功率密度和稳健性。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC21550BQDWRQ1
商品编号
C35135429
商品封装
SOIC-16​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
驱动配置半桥
隔离电压(Vrms)5000V
负载类型MOSFET、IGBT、SiC、GaN
通道数2
输入侧工作电压3V~5.5V
拉电流(IOH)4A
灌电流(IOL)6A
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
上升时间(tr)8ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpLH33ns
传播延迟 tpHL33ns
静态电流(Iq)1.4mA
CMTI(kV/us)125kV/us
驱动侧工作电压9.2V~25V
功能特性死区时间控制

商品概述

UCC21550-Q1是带可编程死区时间、宽温度范围的隔离双通道栅极驱动器系列。它具备4A峰值拉电流和6A峰值灌电流,可驱动功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶体管。UCC21550-Q1可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器,或半桥驱动器。输入侧与两个输出驱动器之间通过5 kV RMS隔离栅实现隔离,最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为125V/ns。保护功能包括:电阻可编程死区时间、同时关闭两个输出的关断功能,以及可抑制小于5ns输入瞬态的集成去毛刺滤波器。所有电源都具备UVLO保护。UCC21550-Q1器件可在多种功率应用中实现高效率、高功率密度和鲁棒性。

商品特性

  • 可配置为双低侧、双高侧或半桥驱动器
  • 符合AEC-Q100认证,器件温度等级1
  • 结温范围为-40℃ 至 +150℃
  • 最高4A峰值拉输出电流,最高6A峰值灌输出电流
  • 共模瞬态抗扰度(CMTI)大于125V/ns
  • VDD输出驱动电源最高可达25V,提供5V、8V、12V VDD UVLO选项
  • 典型传播延迟33ns
  • 最大脉宽失真5ns
  • 最大VDD上电延迟10μs
  • 所有电源均具备UVLO保护
  • 支持用于电源时序控制的快速关断

应用领域

  • 车载充电器
  • 高压DC-DC转换器
  • 汽车HVAC、车身电子