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EM639325TS-6G
4M x 32位同步DRAM (SDRAM)
- 描述
- EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。
- 品牌名称
- ETRON(钰创)
- 商品型号
- EM639325TS-6G
- 商品编号
- C34893818
- 商品封装
- TSOPII-86
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1.426119克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
EM639325 SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM，包含128兆位。它内部配置为四路1M x 32 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的上升沿上寄存）。每个1M x 32位存储器组被组织为4096行 x 256列 x 32位。对SDRAM的读写访问是突发定向的；访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程数量的位置。访问从注册一个BankActivate命令开始，然后是读或写命令。
EM639325提供可编程的读或写突发长度为1、2、4、8或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时间行预充电。刷新功能，无论是自动刷新还是自刷新，都易于使用。通过使用可编程模式寄存器，系统可以选择最合适的模式以最大化其性能。这些设备非常适合需要高内存带宽的应用。