立创商城logo
购物车0
IMBG40R036M2HXTMA1引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IMBG40R036M2HXTMA1

碳化硅MOSFET,适用于高频开关和同步整流

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
IMBG40R036M2HXTMA1
商品编号
C34894218
商品封装
TO-263-7​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)50A
耗散功率(Pd)167W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.6V
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)1.17nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)120pF
导通电阻(RDS(on))45.7mΩ

商品特性

  • 适用于高频开关和同步整流
  • 具有低Qfr的换向鲁棒快速体二极管
  • RDS(on)对温度的依赖性低
  • 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V
  • 推荐的栅极驱动电压为0 V至18 V
  • 采用.XT互连技术,实现一流的散热性能
  • 100%经过雪崩测试

应用领域

  • 开关电源
  • 太阳能光伏逆变器
  • 储能、不间断电源和电池化成
  • D类音频
  • 电机驱动器

数据手册PDF