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PMF170XP,115
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT323（SC - 70）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMF170XP,115
- 商品编号
- C389353
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 低 RD Son
- 极快的开关速度
- 沟槽 MOSFET 技术
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路
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